
18A ile gelen teknolojik atılımlar: PowerVia ve BSPDN
Intel’in 18A üretim süreci, Intel 3’e kıyasla yüzde 30’un üzerinde yoğunluk artışı sağlıyor. Bu muvaffakiyetin gerisinde ise PowerVia ve BSPDN (Backside Power Delivery Network) üzere devrimsel teknolojiler yer alıyor. Bu iki yenilik sayesinde transistörler daha sık paketlenebiliyor ve çipin ön yüzeyindeki alan daha verimli kullanılabiliyor. Bu durum, bilhassa yüksek yoğunluklu dizaynlar için kıymetli avantajlar sunuyor.
Yapılan PPA (Performans, Güç, Alan) karşılaştırmalarına nazaran, 18A süreci standart bir Arm çekirdek alt bloğunda yüzde 25 daha yüksek hız ve yüzde 36 daha düşük güç tüketimi sağlıyor (1.1V çalışma gerilimiyle). Bu da hem performans hem güç verimliliği açısından önemli bir sıçrama manasına geliyor.
VLSI Sempozyumu’nda paylaşılan bilgiler 18A sürecinin yüksek performans altında dahi güç iletiminde kararlılığı koruyabildiğini ortaya koyuyor. PowerVia teknolojisi sayesinde güç, transistörlere art yüzeyden direkt ulaştırılabiliyor. Bu da ön yüzdeki karmaşık irtibatların azalmasına ve hücrelerin daha sıkı yerleştirilebilmesine imkan tanıyor.
Buna ek olarak, hücre kütüphanesi karşılaştırmaları da 18A sürecinin, hücre yoğunluğu ve alan verimliliği bakımından rakiplerini yakaladığını hatta kimi alanlarda geçtiğini ortaya koyuyor. Bilhassa TSMC‘nin N2 süreciyle kıyaslandığında, Intel’in SRAM yoğunluğu açısından eşit düzeye ulaştığı belirtiliyor.
Çok yakında sahnede
